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電子科技大學 target=_blank>成都電子科技大學 2018 年碩士研究生入學考試初試自命題科目考試大綱
考試科目 832微電子器件 考試形式 筆試（閉卷）
考試時間 180分鐘 考試總分 150 分
一、總體要求
主要考察學生掌握“微電子器件”的基本知識、基本理論的情況，以及用這些基本知識和基本
理論分析問題和解決問題的能力。
二、內容
1．半導體器件基本方程
1）半導體器件基本方程的物理意義
2）一維形式的半導體器件基本方程
3）基本方程的主要簡化形式
2．PN 結
1）突變結與線性緩變結的定義
2）PN 結空間電荷區的形成
3）耗盡近似與中性近似
4）耗盡區寬度、內建電場與內建電勢的計算
5）正向及反向電壓下 PN 結中的載流子運動情況
6）PN 結的能帶圖
7）PN 結的少子分布圖
8) PN 結的直流伏安特性
9）PN 結反向飽和電流的計算及影響因素
10）薄基區二極管的特點
11）大注入效應
12）PN 結雪崩擊穿的機理、雪崩擊穿電壓的計算及影響因素、齊納擊穿的機理及特點、熱擊
穿的機理
13）PN 結勢壘電容與擴散電容的定義、計算與特點
14）PN 結的交流小信號參數與等效電路
15）PN 結的開關特性與少子存儲效應
3．雙極型晶體管
1）雙極型晶體管在四種工作狀態下的少子分布圖與能帶圖
2）基區輸運系數與發射結注入效率的定義及計算
3）共基極與共發射極直流電流放大系數的定義及計算
4）基區渡越時間的概念及計算
5）緩變基區晶體管的特點
6）小電流時電流放大系數的下降
7）發射區重摻雜效應
8）晶體管的直流電流電壓方程、晶體管的直流輸出特性曲線圖
9）基區寬度調變效應
10）晶體管各種反向電流的定義與測量
11）晶體管各種擊穿電壓的定義與測量、基區穿通效應
12）方塊電阻的概念及計算
13）晶體管的小信號參數
14）晶體管的電流放大系數與頻率的關系、組成晶體管信號延遲時間的四個主要時間常數、
高頻晶體管特征頻率的定義、計算與測量、影響特征頻率的主要因素
15）高頻晶體管最大功率增益與最高振蕩頻率的定義與計算，影響功率增益的主要因素
4．絕緣柵場效應晶體管（MOSFET）
1）MOSFET 的類型與基本結構
2）MOSFET 的工作原理
3）MOSFET 閾電壓的定義、計算與測量、影響閾電壓的各種因素、閾電壓的襯底偏置效應
4）MOSFET 在非飽和區的簡化的直流電流電壓方程
5）MOSFET 的飽和漏源電壓與飽和漏極電流的定義與計算
6）MOSFET 的直流輸出特性曲線圖
7）MOSFET 的有效溝道長度調制效應
8）MOSFET 的直流參數及其溫度特性
9）MOSFET 的各種擊穿電壓
10）MOSFET 的小信號參數
11）MOSFET 跨導的定義與計算、影響跨導的各種因素
12）MOSFET 的高頻等效電路及其頻率特性
13）MOSFET 的主要寄生參數
14）MOSFET 的最高工作頻率的定義與計算、影響最高工作頻率的主要因素
15）MOSFET 的短溝道效應以及克服短溝道效應的措施
三、題型及分值
填空題（45 分）
簡述題（60 分）
計算題（45 分）
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