|
友情提示：本站提供全國400多所高等院校招收碩士、博士研究生入學考試歷年考研真題、考博真題、答案，部分學校更新至2012年，2013年；均提供收費下載。 下載流程： 考研真題 點擊“考研試卷””下載; 考博真題 點擊“考博試卷庫” 下載
碩士研究生入學考試大綱考試科目名稱：半導體物理
一、 考試大綱援引教材
《半導體物理學》國防工業出版社 朱秉升 劉恩科
二、 考試要求：
全面系統地掌握半導體物理的基本概念、基本原理和物理過程，并能夠運用理論對實際問題進行分析和計算。
三、考試內容：
1）半導體中的電子狀態
a: 導體的晶格結構和結合性質
b: 半導體中的電子狀態和能帶
c: 半導體中的電子運動有效質量
d: 本征半導體的導電機構 空穴
e: 回旋共振
f: 硅和鍺的能帶結構
2）半導體中雜質和缺陷能級
a: 硅、鍺晶體中的雜質能級
b: 缺陷、位錯能級
3）半導體中載流子的統計分布
a: 狀態密度
b: 費米能級和載流子的統計分布
c: 本征半導體的載流子濃度
d: 雜質半導體的載流子濃度
e: 一般情況下的載流子統計分布
f: 簡并半導體
4）半導體的導電性
a: 載流子的漂移運動
b: 載流子的散射
c: 遷移率與雜質濃度和溫度的關系
d: 電阻率及其與雜質濃度和溫度的關系
e: 強電場下的熱載流子效應
5）非平衡載流子
a: 非平衡載流子的產生和復合
b: 非平衡載流子的壽命
c: 準費米能級
e: 復合理論
d: 陷阱效應
e: 載流子的擴散運動
f: 載流子的漂移運動，愛因斯坦關系式
g: 連續性方程式
6）金屬和半導體的接觸
a: 金屬半導體接觸及其能帶圖
b: 金屬半導體接觸整流理論
c: 少數載流子的注入和歐姆接觸
7)半導體表面與MIS結構
a: 表面態
b: 表面電場效應
c: MIS結構的電容和電壓特性
d: 硅-二氧化硅系統的性質
e: 表面電導及遷移率
8)半導體霍爾效應和半導體壓阻效應
免責聲明：本文系轉載自網絡，如有侵犯，請聯系我們立即刪除，另：本文僅代表作者個人觀點，與本網站無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
|
文章搜索
您現在的位置： 
