2021年天津大學碩士研究生入學考試復試考研大綱

課程名稱：微電子學與固體電子學綜合
本復試考試由兩部分組成，請考生根據自己的具體情況任選一部分進行答題。
第一部分： 半導體集成電路復試大綱（參加微電子學復試的考生參考）
一、考試的總體要求
"半導體集成電路"是微電子技術專業的主干課程。本大綱包括"半導體特種效應"

、"半導體集
成電路"。目的是考察考生對基本理論、基本知識、基本技能及分析問題和解決

問題的能力。
二、考試內容及比例
（一）半導體特種效應（40%）
1、半導體異質結：異質結概念及能帶圖，異質結鍺硅雙極晶體管的結構、性能

特點與原因，
高電子遷移率晶體管的結構、性能特點與原因；
2、半導體光學性質：半導體光吸收，半導體光電探測器, 半導體太陽電池，半

導體發光概
念與應用，半導體激光基本原理；
3、半導體霍爾效應、半導體熱電效應及其應用、半導體壓阻效應。
（二）半導體集成電路（60%）
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1、MOS 反相器及其基本邏輯單元 E/D 反相器、CMOS 反相器、自舉反相器

、動態反相器、
NMOS 邏輯結構、傳輸門邏輯。
2、導線模型及寄生參數 互連參數、集總式模型、分布式模型。
3、CMOS 組合邏輯門的設計 靜態 CMOS 組合邏輯、動態 CMOS 組合邏輯

。
4、時序邏輯電路設計 靜態鎖存器和寄存器、動態鎖存器和寄存器、流水線、非

雙穩時序電
路。
5、數字電路中的時序問題 數字系統的時序分類、同步設計、自定時電路設計、

時鐘的不確
定性。
6、設計運算功能塊 數字處理器結構中的數據通路、加法器、乘法器、移位器。
三、試卷題型及比例
1、選擇，填空題：15%；
2、簡答題：30%；
3、論述題：40%；
4、綜合題：15%。
四、考試形式及時間
考試形式為筆試，考試時間 1.5 小時，滿分 65 分。
五、參考書目
1、半導體物理學，（第七版）， 劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業出版

社。
2、半導體物理與器件，美 Neamen 著，趙毅強等譯，電子工業出版社；
3、數字集成電路--電路、系統與設計，周潤德等譯，電子工業出版社；
4、半導體集成電路、朱正涌編著，清華大學出版社。
第二部分：薄膜電子技術復試大綱（參加固體電子學專業復試的考生參考）
一、考試的總體要求
"薄膜電子技術"是微電子學與固體電子學專業的主干課程。本課程的考試目的是

考察學生對
基本理論、基本知識、基本技能的掌握情況，考察學生分析問題解決問題的能

力。
二、考試內容及比例
1、薄膜的制備技術：
1) 真空技術基礎：
真空的基本知識，真空的獲得，真空度的表征和檢測。
2) 物理氣相沉積鍍膜技術：
真空蒸發鍍膜原理，蒸發源類型及原理，蒸發特性及參數，合金及化合物蒸發

。 濺射鍍膜
類型及原理、特點，濺射特性參數。 離子鍍膜原理、特點。
3) 化學氣相沉積鍍膜技術：
不同類型化學氣相沉積鍍膜方法原理及特點 常壓化學氣相沉積，低壓化學氣相

沉積，等離
子增強化學氣相沉積，有機金屬化學氣相沉積，光化學氣相沉積。
4) 溶液鍍膜法：
化學鍍，溶膠-凝膠法，LB 膜的制備原理和特點。
2、薄膜形成理論：
1）薄膜的形成過程,薄膜的形成與生長形式。熱適應系數，熱力學界面能理論，

原子聚集理
論。
2）薄膜的結構與缺陷： 薄膜的組織結構、晶體結構、表面結構，薄膜的缺陷及

產生機理。
3、薄膜結構與化學組分檢測方法： X 射線衍射法，掃描電子顯微鏡法，俄歇

電子能譜法，
X 射線光電子能譜法，檢測原理與特點。
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三、試卷題型及比例
1、選擇，填空題：15%；
2、簡答題：30%；
3、論述題：40%；
4、綜合題：15%。
四、考試形式及時間
考試形式為筆試，考試時間 1.5 小時，滿分 65 分。
五、參考書目
薄膜物理與技術，楊邦朝等，電子科技大學出版社。