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華南理工大學
2014 年攻讀碩士學位研究生入學考試試卷
（試卷上做答無效，請在答題紙上做答，試后本卷必須與答題紙一同交回）
科目名稱：電介質物理學
適用專業：材料學，微電子學與固體電子學
共 2 頁
第 1 頁
一、填空（50 分，每空 2 分）
1、 有效電場是指 。對于非極性氣體電介質或高對
稱性的立方點陣原子、離子晶體， 方程比較適用，具體的
表達公式為 。
2、不同電介質中存在不同的極化形式，其中 出現在所有介質中；
出現在離子鍵構成的電介質中； 主要存
在于不均勻的介質中； 、 都是與熱運動有
關的極化形式，當電場的頻率足夠高時，電介質的極化主要以
和 為主。
3、 離子晶體中的熱缺陷包括弗倫克爾缺陷和肖特基缺陷，形成單一的離子空位的缺
陷稱為 ；填隙離子和離子空位同時成對產生的缺陷稱為
。在肖特基缺陷中，導電載流子主要是 ；在弗倫克爾缺陷中，
導電載流子主要是 。導電離子半徑大、結構緊
密的晶體，主要形成 缺陷；而結構松散的晶體，特別是當其中一種離
子的尺寸較小時，主要形成 缺陷。
4、氣體電介質自持放電的條件為： 。提高氣體電介質擊穿電
壓的途徑有：（1） ；（2） 。
5、電介質的電導率可表示為： 。提高電介質絕緣性能的途徑有：
（1） ；（2） 。
6、光在電介質中的折射率與介電常數的關系式可表示為： 。
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