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成都信息工程大學
_2018 _年碩士研究生入學考試自命題科目
考試大綱：
考試階段：復試 科目滿分值：100
考試科目：集成電路工藝 科目代碼：
考試方式：閉卷筆試 考試時長：180 分鐘
一、科目的總體要求
主要考察學生對《集成電路工藝》課程中基本知識、原理以及技
能的掌握情況，並具有一定工藝分析和設計以及解決工藝問題和提高
產品質量的能力。
二、考核內容與考核要求
《集成電路工藝》共包含 6 個部分的內容：硅和硅片制備，氧化
與淀積工藝，光刻工藝，刻蝕工藝，離子注入工藝，金屬化工藝。
（一）第一部分 硅和硅片制備
1、（掌握）硅圓片制備及規格；
2、（掌握）晶體缺陷、半導體制造中的污染控制與缺陷檢測。
（二）第二部分 氧化與淀積工藝
1、（掌握）SiO2 結構及性質，硅的熱氧化及影響氧化速率的
因素及氧化缺陷；
2、（掌握）化學氣相淀積薄膜及技術的分類；
3、（了解）化學汽相淀積（CVD）基本化學過程，各種不同
材料、不同模式 CVD 方法系統原理、工藝與主要設備。
（三）第三部分 光刻工藝
1、（掌握）光刻工藝的原理、方法和流程；
2、（了解）掩膜版的制造，光刻技術分類；
3、（掌握）光刻工藝的 8 個基本步驟，光源及光學設備，對準及
主要曝光方式；
4、（了解）光刻缺陷控制和檢測以及光刻工藝技術的最新動態。
（四）第四部分 刻蝕工藝
1、（掌握）刻蝕分類（濕法刻蝕、干法刻蝕）及應用；
2、（掌握）干法刻蝕系統，半導體生產中常用材料的刻蝕技術。
（五）第五部分 離子注入工藝
1、（掌握）離子注入原理、特點及應用；了解離子注入系統組成；
2、（掌握）離子注入濃度分布，注入損傷和退火。
（六）第六部分 金屬化工藝
1、（掌握）濺射、蒸發原理；
2、（掌握）金屬化系統組成，形貌及臺階覆蓋問題的解決方案；
3、（了解）ULSI 的多層布線技術對金屬性能的基本要求。
三、題型結構
考試滿分 100 分，包含多種題型，有填空、選擇、是非、問答和
綜合分析題型。
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