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成都信息工程大學
2018 年碩士研究生入學考試自命題科目
考試大綱：
考試階段：復試 科目滿分值：100
考試科目：半導體物理 科目代碼：
考試方式：閉卷筆試 考試時長：180 分鐘
一、科目的總體要求
本科目主要考察學生對半導體物理中的基本概念、理論、模型、方
法的掌握，要求能利用相關知識解決半導體材料、器件、性能所涉及的
各種基本問題。
二、考核內容與考核要求
1、半導體中的電子狀態
（1）半導體中的電子狀態與能帶（理解）
（2）半導體中的電子運動有效質量（掌握）
（3）元素半導體硅、鍺的能帶結構（了解）
2、半導體中雜質和缺陷能級（理解）
（1）硅、鍺晶體中的雜質能級
（2）缺陷能級
（3）位錯能級
3、半導體中載流子的統計分布
（1）狀態密度（理解）
（2）費米能級和載流子的統計分布（理解）
（3）本征半導體的載流子濃度（掌握）
（4）雜質半導體的載流子濃度（理解）
（5）簡并半導體（了解）
4、半導體的導電性
（1）載流子的漂移和遷移率、歐姆定律、電導率（掌握）
（2）遷移率與雜質濃度和溫度的關系（理解）
（3）電阻率與雜質濃度和溫度的關系（了解）
（4）玻爾茲曼方程、電導率的統計理論（了解）
5、非平衡載流子
（1）非子的注入與復合（掌握）
（2）非子的壽命（掌握）
（3）準費米能級（了解）
（4）復合理論（了解）
（5）陷阱效應（了解）
（6）載流子的擴散運動、漂移運動（掌握）
（7）愛因斯坦關系、連續性方程（了解）
6、PN 結
（1）PN 結及其能帶（掌握）
（2）PN 結的電流電壓特性（理解）
（3）PN 結電容（了解）
7、金屬和半導體的接觸
（1）金屬半導體接觸及其能帶（理解）
（2）接觸整流理論（了解）
（3）歐姆接觸、少數載流子注入（了解）
8、半導體的光學性質
（1）半導體的光學常數、光吸收（掌握）
（2）半導體的光電導（掌握）
（3）光生伏特效應（了解）
三、題型結構
考試包含多種題型：名詞解釋、簡答題、分析與計算題。
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