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成都信息工程大學
2018 年碩士研究生入學考試自命題科目
考試大綱：
考試階段：初試 科目滿分值：150
考試科目：光電子器件 科目代碼：814
考試方式：閉卷筆試 考試時長：180 分鐘
一、科目的總體要求
掌握光電導探測器件的光電轉換機理及光敏電阻的器件結構、工作
原理和特性。掌握結型光電探測器的光電轉換機理，基本結構及工作原
理；掌握光電池、光電二極管與光電三極管的光譜響應、轉換效率、噪
聲、光生載流子產生及輸運的物理過程與物理圖像。掌握光電發射器件
的光電轉換機理、基本結構、工作原理，光電倍增管的主要特性和參數。
掌握 CCD 電荷產生、注入、傳輸、讀出及其基本電路結構、CCD 主要
電學特性；掌握電荷輸運的物理過程、物理圖像、寄生效應與器件物理
關系；掌握 CCD 和 CMOS 圖像傳感器的基本結構和工作原理。
二、考核內容與考核要求
（一）光電導探測器
1、（掌握）光電子器件的基本特性
2、（掌握）光電導探測器原理
3、（掌握）光敏電阻的特點、結構與特性
（二）結型光電探測器
1、（掌握）光生伏特效應定義
2、（掌握）光電池的結構與特性
3、（掌握）光電二極管的結構、原理與特性，包括 P 結型、PIN 型
和 APD 型
4、（掌握）光電三極管的結構與工作原理
（三）光電陰極與光電倍增管
1、（掌握）光電發射過程原理與陰極材料（多堿陰極與負電子親和
勢光電陰極）
2、（掌握）真空光電管的原理與特性
3、（掌握）光電倍增管的結構、原理與特性
（四）CCD 和 CMOS 成像器件
1、（掌握）電荷耦合器件的基本原理
2、（掌握）電荷耦合器件基本結構
3、（掌握）CCD 的主要特性
4、（掌握）電荷耦合成像器件的基本原理
5、（掌握）CMOS 型成像器件的像素構造
三、題型結構
考試包含三種題型:名詞解釋、簡答題、論述與綜合分析題。
四、其它要求
1、考試形式為筆試，考生無需攜帶計算器參加考試。
2、本科目考試時間為 3 小時，具體考試時間以《準考證》為準。
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