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成都電子科技大學 博士研究生入學考試初試自命題科目考試大綱
考試科目 3001 半導體物理 考試形式 筆試（閉卷）
考試時間 180 分鐘 考試總分 100 分
一、總體要求
要求考生對半導體物理中的基本概念有深刻的理解，系統掌握半導體物理學的基礎理論，并能靈
活應用基礎理論和基本概念去分析金屬/半導體接觸和金屬/絕緣體/半導體（MIS）結構中的載流子
分布、能帶狀況以及兩種結構的電學性能，具有較強的分析問題和解決問題的能力。
二、內容
1. 半導體中的電子狀態
1）了解半導體的三種常見晶體結構即金剛石型、閃鋅礦和纖鋅礦型結構；
2）以及兩種化合鍵形式即共價鍵和離子鍵在不同結構中的特點;
3）了解電子的共有化運動；
4）理解能帶不同形式導帶、價帶、禁帶的形成；
5）導體、半導體、絕緣體的能帶與導電性能的差異；掌握本征激發的概念。
6）了解半導體中電子的平均速度和加速度；
7）掌握半導體有效質量的概念、意義和意義；
8）理解本征半導體的導電機構；
9）掌握半導體空穴的概念及其特點；
10）理解典型半導體材料鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。
2．半導體中的雜質和缺陷能級
1） 掌握鍺、硅晶體中的淺能級形成原因，多子和少子的概念；
2） 了解淺能級雜質電離能的計算；了解雜質補償作用及其產生的原因；
3） 了解鍺、硅晶體中深能級雜質的特點和作用；
4） 了解等電子陷阱、等電子絡合物以及兩性雜質的概念；
5） 了解缺陷（主要是兩類點缺陷弗侖克耳缺陷和肖脫基缺陷）、位錯（一種線缺陷）施主或
受主能級的形成。
3．熱平衡時半導體中載流子的統計分布
1） 掌握狀態密度，費米能級的概念；
2） 掌握載流子的費米統計分布和波爾茲曼統計分布；
3） 掌握本征半導體的載流子濃度和費米能級公式推導和計算；
4） 掌握非簡并半導體載流子濃度和費米能級公式推導和計算、雜質半導體的載流子濃度以及
費米能級隨摻雜濃度以及溫度變化的規律；
5） 了解簡并半導體及其簡并化條件。
4．半導體的導電性
1） 了解載流子的熱運動特點；
2） 掌握遷移率、電導率、雜質散射、晶格散射等概念；
3） 重點掌握載流子的漂移運動；
4） 理解載流子的散射理論；
5） 遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關系等；
6） 了解強電場效應、多能谷散射。
5．非平衡載流子
1）了解非平衡載流子；
2）理解非平衡載流子的注人與復合；
3）掌握非平衡載流子的壽命；
4）掌握準費米能級；
5）掌握復合機理；
6）了解陷階效應；
7）掌握載流子的擴散運動及其計算；
8）掌握愛因斯坦關系；
9）解連續性方程。
6．金屬和半導體的接觸
1）理解功函數的概念；
2）理解肖特基勢壘高度；
3）掌握金屬和半導體接觸的整流理論；
4）理解少數載流子的注人；
5）理解歐姆接觸；
6）理解鏡像力降低效應；
7）理解鏡像力降低效應；
8）理解歐姆接觸和隧道效應
7．半導體表面與MIS結構
1）掌握表面電場效應；
2）理解表面態；
3）掌握MIS結構的電容一電壓特性；
4）理解硅一二氧化硅系統的性質；
三、題型
1. 簡答題
2. 分析說明題
3. 作圖題
4. 證明題
5. 計算題
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