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887 電子科學與技術基礎
1．考試內容
（1）電子技術基礎部分
主要包括二極管、三極管的結構、特性及主要參數；掌握飽和、放大、截止
的基本概念和條件。晶體管放大電路的組成和工作原理。掌握圖解分析法和等效
模型分析法。掌握放大電路的三種組態及性能特點。電路的三種耦合方式及特點。
反饋的基本概念：正、負反饋；電壓、電流、串聯、并聯負反饋；掌握反饋類型
和極性判斷，引入負反饋對放大性能的影響。比例、加減、微積分線性運算電路。
一般了解對數、指數運算電路的工作原理及一階、二階有源濾波器的電路組成、
頻率特性。了解產生自激振蕩的條件。掌握電壓比較器，用電壓比較器組成的非
正弦發生電路。掌握邏輯代數的基本公式、基本規則；邏輯代數的表示方法及相
互轉換。掌握各種門的邏輯符號、功能、特點、使用方法。正確理解 TTL 門和
CMOS 門電路的結構、工作原理。
（2）電磁場理論部分
主要考察考生對電磁理論基本內容的理解和掌握程度，以及靈活應用知識的
能力。試卷命題對考研大綱內容有覆蓋性和廣泛性，題型主要包括概念題、計算題和
證明推導題。應掌握的基本內容為：①矢量分析：三種常用坐標系內的梯度、散
度和旋度的運算、幾種重要矢量場的定義和性質；②靜電場：庫侖定律、電場與
電場強度、高斯定律、靜電場的環路定律、電位和電位差、電位的泊松方程和拉
普拉斯方程、電偶極子、電介質中的靜電場、靜電場中的導體、電場能量與靜電
力；③恒定電場和電流：恒定電流場的基本定律、歐姆定律和焦耳定律、恒定電
流場的邊界條件、恒定電流場與靜電場的類比；④恒定磁場：安培磁力定律和畢
奧---沙伐定律、恒定磁場的基本定律、矢量磁位和標量磁位、磁偶極子、磁介
質中恒定磁場基本定律、磁介質的邊界條件；⑤靜態場的邊值問題：拉普拉斯方
程的分離變量法、鏡象法、有限差分法；⑥電磁感應：法拉第電磁感應定律、電
感、磁場的能量；⑦時變電磁場：位移電流和推廣的安培回路定律、麥克斯韋方
程組、正弦電磁場、媒質的色散與損耗、坡印廷定理、電磁場的波動方程、標量
位和矢量位、時變電磁場的邊界條件；⑧平面電磁波：理想介質中的均勻平面電
磁波、電磁波的極化、有耗媒質中的均勻平面電磁波、理想媒質界面上電磁波的
反射和折射、全折射和全反射；⑨導行電磁波：矩形波導管中的電磁波、TE10
模電磁波、波導中的能量傳輸與損耗、傳輸線上的 TEM 波、諧振腔；⑩電磁波
輻射：赫芝偶極子輻射、磁偶極子天線的輻射、線天線、天線的方向性系數和增
益。
（3）半導體物理部分
主要包含半導體中的電子狀態；半導體中的電子狀態和能帶、電子的運動，
本征半導體的導電機構、空穴，回旋共振，硅和鍺的能帶結構；半導體中的雜質
和缺陷能級，硅、鍺晶體中的雜質能級、缺陷、位錯能級；半導體中載流子的統
計分布、狀態密度，費米能級、載流子濃度的計算，簡并半導體；載流子的位移
與擴散運動，載流子的散射、遷移率、電阻率、強場效應、熱載流子、多能谷散
射，耿氏效應；非平衡載流子的注入，復合壽命，費米能級，復合理論，陷阱效
應，載流子的遷移運動，愛因斯坦關系，連續性方程；PN 結的伏安特性，PN
結電容，擊穿；金屬和半導體的接觸的理論，少子的注入與歐姆接觸；表面態，
表面場效應，C-V 特性，表面電場對 PN 結特性的影響；半導體的光學性質，光
電性質，發光現象，半導體激光器；半導體的熱電性質，溫差電動勢率，熱電效
應及其應用；半導體磁效應和壓阻效應。
2． 考試要求
（1） 電子技術基礎部分要求全部考生必做；
（2） 電磁場理論部分（A）要求報考 02 電磁仿真與天線、03 毫米波太赫
茲技術與系統方向考生必做；
（3） 半導體物理部分（B）要求報考 04 微電子與集成電路方向考生必做；
（4） 報考其他方向考生可任選 A 或 B。
3． 題型及分值安排
(1) 題型:簡答題和計算題。簡答題包含概念題和重要數學公式及其物理意
義，計算題包含數學模型、重要物理量計算、設計等。
(2) 分值安排：簡答題占 40%，計算題占 60%。
參考書目
(1)模擬電路基礎；(2)半導體物理學；(3)電磁場理論基礎。 (1)北京理工大學出版社；(2)國
防工業出版社；(3)北京理工大學出版社。 (1)吳丙申，卞祖富；(2)劉恩科，朱秉升，羅
晉生等；(3)陳重，崔正勤。 (1)1997；(2)1994；(3)2003。
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