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《半導體器件物理》博士生入學考博大綱
一、復習內容及基本要求
1．半導體中載流子特性：晶體結構，能帶與能隙，載流子及熱平衡，載流子宏觀遷移。
2．p-n 結形成；耗盡層，電流電壓特性，結擊穿，異質結，傳輸過程與噪音。
3．雙極器件；靜態特性，微波特性，異質結雙極晶體管。
4．MIS；電流傳輸過程，器件結構，歐姆接觸，勢壘高度，理想 MIS 電容。
5．MOS：基本器件特性；期間按比例縮小，短溝道效應，器件基本結構。
6．JFET 原理與特性。
7．光電子器件（LED、太陽能電池）原理以及特性。
8．巨磁阻效應及其器件
9．考試的基本要求
要求考生有扎實的半導體物理，半導體器件，及微電子實驗基礎理論知識和技術基礎。掌握
半導體器件系統的主要組成部分的基本原理，能夠綜合量子物理、半導體物理、器件物理的
知識分析和解決問題。
二、建議參考
1．施敏編著 《現代半導體器件物理》第 3 版 西安交通大學出版社。
2．韓秀峰著 《自旋電子學導論》上卷 第一章 科學出版社。
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