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《半導體物理》課程考試大綱
一、適用專業：
集成電路工程
二、參考書目：
1．劉恩科 朱秉升編，半導體物理學，國防工業出版社
三、考試內容與基本要求：
第一章 緒論
[考試要求]
本章要求學生掌握本課程研究的對象和內容，了解半導體材料及器件的應用，了解本課
程的基本要求；了解與半導體晶體相關的概念，重點掌握倒格子、布里淵區的概念，重點了
結晶體中的缺陷、晶格振動和晶體中的電子運動。
[考試內容]
①晶格、格點、基矢、布里淵區、倒格子等概念
②晶體中的缺陷、晶格振動
③晶體中的電子運動
第二章 半導體中的電子狀態
[考試要求]
本章要求學生掌握電子、空穴和有效質量的概念，重點了解和掌握半導體的能帶結構，
了解半導體中的雜質和缺陷能級。
[考試內容]
①電子、空穴和有效質量的概念
②能帶論，并用能帶理論解釋半導體物理學中的一些現象
③常用半導體的能帶結構
④半導體中的雜質和缺陷
第三章 熱平衡狀態下載流子的統計分布
[考試要求]
本章要求學生掌握狀態密度及費米能級的概念， 掌握熱平衡狀態下本征半導體及雜質
半導體的載流子濃度，了解非簡并情況下費米能級和載流子濃度隨溫度的變化。
[考試內容]
①狀態密度及費米能級的概念以及它們的表達式
②熱平衡狀態下本征及雜質半導體的載流子濃度
③非簡并情況下費米能級和載流子濃度隨溫度的變化
④簡并半導體
第四章 載流子的漂移和擴散
[考試要求]
本章要求學生掌握半導體中載流子的各種散射機制，了解電阻率和遷移率與雜質濃度和
溫度的關系，掌握載流子的擴散和漂移運動、愛因斯坦關系。
[考試內容]
①半導體中載流子的各種散射機制
②電導率和遷移率
③電阻率和遷移率與雜質濃度和溫度的關系
④載流子的擴散和漂移運動，愛因斯坦關系
⑤強電場效應，熱載流子
第五章 非平衡載流子
[考試要求]
本章要求學生掌握非平衡載流子的注入與復合，了解各種復合理論，連續性方程。
[考試內容]
①非平衡載流子的注入與復合
②各種復合理論
③連續性方程
第六章 p-n 結
[考試要求]
本章要求學生掌握 p-n 結概念及其能帶圖，掌握理想 p-n 結的電流電壓關系，了解 p-n
結電容，了解實際 p-n 結的電流電壓關系、p-n 結擊穿、p-n 結隧道效應等。
[考試內容]
①p-n 結及其能帶圖
②理想 p-n 結的電流電壓關系
③實際 p-n 結的電流電壓關系、p-n 結擊穿
④p-n 結電容
⑤p-n 結隧道效應 隧道結
第七章 金屬和半導體接觸
[考試要求]
本章要求學生掌握金屬半導體接觸的能帶圖及其電流電壓關系，了解歐姆接觸和肖特基
勢壘。
[考試內容]
(1)學習要求
①金屬半導體接觸的能帶圖及其電流電壓關系
②歐姆接觸
③肖特基勢壘
第八章 半導體表面與 MIS 結構
[考試要求]
本章要求學生掌握表面態和表面電場效應，了解 MIS 結構及應用。
[考試內容]
①半導體表面能帶和空間電荷區
②MIS 結構及應用
第九章 半導體的光、熱效應
[考試要求]
本章要求學生了解半導體的光電導和光生伏特效應及它們的應用，了解半導體激光，了
解半導體的熱電效應及其應用。
[考試內容]
①半導體的光電導和光生伏特效應及其應用
②半導體的熱電效應及其應用
第十章 半導體的磁效應
[考試要求]
本章要求學生了解霍爾效應及其應用，了解半導體的磁阻效應。
[考試內容]
①霍爾效應及其應用
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