|
友情提示：本站提供全國400多所高等院校招收碩士、博士研究生入學考試歷年考研真題、考博真題、答案，部分學校更新至2012年，2013年；均提供收費下載。 下載流程： 考研真題 點擊“考研試卷””下載; 考博真題 點擊“考博試卷庫” 下載
第 1 頁，共 2 頁
2018 年寧波大學博士研究生招生考試初試科目
考 試 大 綱
科目代碼、名稱: 半導體器件
一、考試形式與試卷結構
（一）試卷滿分值及考試時間
本試卷滿分為 100 分，考試時間為 180 分鐘。
（二）答題方式
答題方式為閉卷、筆試。試卷由試題和答題紙組成；答案必須寫在答題紙（由考點提供）
相應的位置上。
（三）試卷內容結構
考試內容包括半導體物理基礎，雙極型晶體管、MOSFET 和 MESFET 器件的工作原理、特
性和模型，以及影響其特性的主要因素，熱電器件和光電器件的基本工作原理。
（四）試卷題型結構
1. 選擇題
2. 名詞解釋
3. 簡答題
4. 計算題
二、考查目標
課程考試的目的在于考察考生對半導體器件的基本結構、工作原理、性能和基本分析方
法的掌握程度，以及用這些基本知識和基本理論分析問題和解決問題的能力。
三、考查范圍或考試內容概要
1、半導體器件物理基礎
半導體物理基礎，半導體工藝技術。
2 、P-N 結
工藝步驟， 熱平衡，勢壘電容， 電流-電壓特性， 電荷儲存與暫態響應，擊穿，異質結。
第 2 頁，共 2 頁
3 、雙極型晶體管及相關器件
雙極型晶體管工作原理，靜態特性，頻率響應與開關特性，異質結雙極型晶體管，可控
硅器件及相關功率器件。
4 、MOSFET 及相關器件
基本原理， 按比例縮小，CMOS 與雙極型 CMOS（BICMOS， 絕緣層上 MOSFET（SOI），功
率 MOSFET。
5、MESFET 及相關器件
金屬-半導體接觸，金屬場效應晶體管（MESFET）， 調制摻雜場效應晶體管。
6、微波二極管、量子效應和熱電子器件光電器件
微波技術，隧道二極管，碰撞電離雪崩渡越時間二極管，轉移電子器件，量子效應器件，
熱電子器件。
7 、光電器件
輻射躍遷與光的吸收，發光二極管，半導體激光器，光探測器，太陽能電池。
參考教材或主要參考書：
《半導體器件物理》施敏，西安交通大學出版社，2008.
免責聲明：本文系轉載自網絡，如有侵犯，請聯系我們立即刪除，另：本文僅代表作者個人觀點，與本網站無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
|
文章搜索
您現在的位置： 
