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《半導體物理》考試大綱
考試科目名稱：半導體物理Ⅱ 考試科目代碼：[829]
一、考試要求：
要求考生系統地掌握半導體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導體
的物理性能。要求考生對半導體的晶體結構和能帶論、載流子統計分布、載流子輸運過程、
p-n 結理論、金屬-半導體接觸理論、半導體光電效應等基本原理有很好的掌握，并能熟練運
用分析半導體的光電特性。
二、考試內容：
1）半導體晶體結構和能帶論
a: 半導體晶格結構及電子狀態和能帶
b: 半導體中電子的運動
c: 本征半導體的導電機構
d: 硅和鍺及常用化合物半導體的能帶結構
2) 雜質半導體理論
a: 硅和鍺晶體中的雜質能級
b: 常用化合物半導體中的雜質能級
c: 缺陷、位錯能級
3) 載流子的統計分布
a: 狀態密度與載流子的統計分布
b: 本征與雜質半導體的載流子濃度
c: 一般情況下載流子統計分布
d: 簡并半導體
4) 半導體的導電性
a: 載流子的漂移運動與散射機構
b: 遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關系
c: 多能谷散射、耿氏效應
5) 非平衡載流子
a: 非平衡載流子的注入、復合與壽命
b: 準費米能級
c: 復合理論、陷阱效應
d: 載流子的擴散、電流密度方程
e: 連續性方程
6) p-n 結理論
a: p-n 結及其能帶圖
b: p-n 結電流電壓特性
c: p-n 結電容、p-n 結隧道效應
7) 金屬-半導體接觸理論
a: 金-半接觸、能帶及整流理論
b: 歐姆接觸
8) 半導體光電效應
a: 半導體的光學性質（光吸收和光發射）
b: 半導體的光電導效應
c: 半導體的光生伏特效應
d: 半導體發光二極管、光電二極管
三、試卷結構：
a) 考試時間：180 分鐘，滿分：150 分
b) 題型結構
a:概念及簡答題（60 分）
b:論述題（90 分）
c）內容結構
a: 半導體晶體結構和能帶論及雜質半導體理論（30 分）
b: 載流子的統計分布 （20 分）
c: 半導體的導電性 （20 分）
d: 非平衡載流子（20 分）
e: p-n 結理論和金屬-半導體接觸理論 (30 分)
f: 半導體光電效應 (30 分)
四、參考書目
1. 劉恩科，朱秉升，羅晉升編著. 半導體物理學. 電子工業出版社, 2011.03.
2. [美]施敏 （S.M.Sze），半導體器件物理，電子工業出版社，1987.12.
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