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《半導體物理》考試大綱
一、 考試目的
本課程考試的目的是考察考生對半導體物理的基本概念、基本理論和基本分析方法的理解和
掌握程度以及利用其解決半導體物理領域相關問題的能力。
二、考試的性質與范圍
該入學考試是為信息與通信工程一級學科微納信息系統專業招收博士研究生而設置的。它的
評價標準是高等學校相關專業碩士畢業生能達到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有較
好的半導體物理基礎理論知識，考試范圍詳見考試內容。
三、考試基本要求
要求考生系統掌握半導體物理學的基礎理論，對基本概念有深刻的理解，并且能靈活應用，
具有較強的分析問題和解決問題的能力。
四、考試形式
筆試、閉卷，考試時間為 180 分鐘，試卷滿分為 100 分。
五、考試內容
1、半導體晶體結構和半導體的結合性質；
2、半導體中的電子狀態：半導體能帶的形成，Ge、Si、GaAs 能帶結構，有效質量、空穴、
雜質和缺陷能級；
3、熱平衡下半導體載流子的統計分布：狀態密度、費米能級、本征半導體和雜質半導體的
載流子濃度，簡并半導體和重摻雜效應；
4、半導體的導電性：半導體導電原理，載流子的漂移運動、遷移率、散射機構，半導體電
阻率(電導率)隨溫度和雜質濃度的變化規律，強電場效應、熱載流子，負阻效應；
5、pn 結：平衡 pn 結特點及其能帶圖，pn 結的 I-V 特性、電容特性、開關特性、擊穿特性；
6、金屬和半導體接觸：半導體表面態，表面電場效應，金屬與半導體接觸特性、MIS 結構
電容-電壓特性，
7、半導體異質結：異質結的形成機理、能帶圖；
8、半導體熱電、磁電及壓阻效應：半導體熱傳導及熱電效應，半導體的霍耳效應，半導體
的壓阻效應。
六、考試題型
概念題、分析論述題、簡算題、推導題、作圖題
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