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天津理工大學 2018 年碩士研究生入學考試大綱
一、考試科目：半導體物理 (809)
二、考試方式：考試采用筆試方式，考試時間為 180 分鐘，試卷滿分為 150 分。
三、試卷結構與分數比重：
填空及選擇題：20%；簡答題：20%；綜合題：60%。
四、考查的知識范圍:
1．半導體中的電子狀態（10％）：能帶論，半導體中的電子運動、有效質量，本征
半導體的導電機制、空穴，鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。
2．載流子的統計分布（15％）：狀態密度，費米能級和載流子的統計分布，本征半
導體的載流子濃度，雜質半導體的載流子濃度。一般情況下的載流子的統計分布。
3．半導體的導電性（15％）：載流子的漂移運動，載流子的散射，遷移率與雜質濃
度和溫度的關系，玻爾茲曼方程；強電場效應，熱載流子。
4．非平衡載流子（20％）：非平衡載流子的注人與復合，非平衡載流子的壽命，準
費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的擴散運動、連續性方程。
5．PN 結（15％）：PN 結及其能帶圖，PN 結電流電壓特件。
6．金屬和半導體的接觸（10％）：金屬和半導體接觸的整流理論，少數載流子的注
人，歐姆接觸。
7．半導體表面與 MIS 結構（15％）：表面電場效應，理想與非理想的 MIS 結構的
C-V 特性，Si-SiO2 系統的性質，表面電導。
五、參考書目：
見 2015 年研究生招生專業目錄
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