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碩士研究生入學考試大綱 加試科目名稱:微電子器件工藝 一、參考書目 《微電子制造科學原理與工程技術》電子工業出版社 2003.1 Stephen A. Campbell 二、考試要求: 系統地掌握外延、擴散、離子注入、氧化、光刻、制版等微電子工藝原理,并能完成工藝設計。 三、考試內容: 1)加工環境與襯底制備 a: 微電子器件的加工環境 b: IC 發展與硅材料的關系 c: 襯底制備 2)外延 a: 外延工藝 b: 外延層質量的控制 3)氧化技術 a: 二氧化硅在微電子器件制造中的用途 b: 二氧化硅的特性 c: 二氧化硅的制備方法 3) 擴散技術 a: 摻雜在微電子器件中的應用 b: 摻雜方式、摻雜原理、液態源擴散、固態源擴散和擴散層質量分析與檢驗 c: 離子注入 4)光刻技術 a: 光刻膠的特性和配制 b: 光刻工藝 c: 光刻質量分析 5) 制版技術 a: 掩模版圖形的形成 b: 電子束制版 6) 表面圖形的形成 a: 濕法腐蝕、干法腐蝕、砷化鎵腐蝕、 7) 表面鈍化 a: 鈍化方法 8) 隔離技術 a: PN 結隔離技術 b: 二氧化硅介質隔離 9) 電極制備及封裝 a: 歐姆接觸 b: 蒸發與濺射 c:平坦化技術 10) CMOS 集成電路工藝設計 a:CMOS 工藝設計 b:多晶硅柵制造工藝 c:CMOS 工藝設計規則 d: n 阱 CMOS 反相器的電路與管芯制造工藝過程 11) 超純水的制備 a:超純水的制備方法 b:微電子器件使用的制水系統
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