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博士研究生入學考試《集成電路原理與設計》考試大綱
① 半導體集成電路 張廷慶
第一章 集成電路的寄生效應
集成電路的雙極型工藝，典型 PN 結隔離工藝，集成電路元件結構和寄生效應；多結晶體管埃
伯斯-莫爾模型，集成電路晶體管有源寄生效應的形成過程，集成電路中的寄生電容和效應。
第二章 雙極邏輯集成電路
雙極型邏輯集成電路的發展過程，簡易 TTL 與非門的邏輯結構，六管單元 TTL 與非門的工作原
理及功耗計算，TTL 電路的溫度特性，TTL 門電路的邏輯是如何擴展。
第三章 TTL 中大規模集成電路
TTL 芯片電路的簡化邏輯門，單管邏輯門的功能，簡化觸發器結構，了解 TTL 中大規模集成電
路的實際結構，雙極型存儲器結構，雙極型門陣列結構與原理。
第四章 TTL 電路版圖設計
結合集成電路工藝的確定，熟悉集成電路版圖設計的一般程序，版圖設計的基本尺寸確定，集
成晶體管版圖，二極管版圖，肖特基勢壘二極管版圖，集成電阻的版圖。
第五章 ECL 和 I2L 電路
ECL 和 I2L 的電路結構，工作原理和特點，如何用這類型的電路實現邏輯運算。
第六章 nMOS 邏輯集成電路
電阻負載 MOS 倒相器，E/E MOS 倒相器，E/D MOS 倒相器，自舉負載 MOS 倒相器的結構和原
理；了解這些電路的速度，靜態功耗等特點，弄清楚有比電路的定義；什么是靜態 MOS 電路。
第七章 CMOS 集成電路
重點是 CMOS 倒相器和 CMOS 傳輸門的基本結構和工作原理，用這兩類結構如何實現各種大規模
邏輯電路，注意這類電路的轉換特性和閾值損失原因；結合 MOS 工藝和版圖結構，了解 CMOS
電路中的柵鎖效應。
第八章 動態和準靜態 MOS 電路
理解柵電容的電荷存儲效應，這種動態電路的輸入阻抗，對信號的作用；動態倒相器和電路單
元的基本結構和原理，各種動態和準靜態 MOS 電路單元。
第九章 MOS 集成電路的版圖設計
MOS 集成電路的工藝設計和選擇，MOS 集成電路版圖的設計規則，MOS 集成電路各種單元電路
的版圖設計。
第十章 MOS 大規模集成電路
MOS 大規模集成電路的特點，計算機輔助設計的流程，HMOS，MOS 存儲器，算術邏輯單元，半
定制邏輯單元的設計實例。
第十一章 模擬集成電路中的特殊元件
了解集成電路芯片的橫向 pnp 晶體管，縱向 pnp，超增益晶體管，隱埋齊納二極管，集成電容
器，薄膜電阻等等器件的結構，工作原理以及應用特點。
第十二章 雙極型模擬集成電路中的基本單元
差分放大器，恒流源，有源負載，基準源，模擬開關等等單元的結構，芯片實現和工作原理
第十三章集成運算放大器
集成電路的運算放大器的原理，頻率特性和補償方式，大信號情況下運放的瞬態特性，轉移速
率與補償的優化，uA741 通用放大器的基本結構和工作原理，提高集成運放性能的一些方法，
如何提高輸入阻抗，從工藝角度如何減小集成運放的性能漂移。
第十四章 模擬集成電路
電壓比較器，D/A 轉換器，A/D 轉換器等單元的結構，工作原理和芯片實現。
第十五章 模擬集成電路的版圖設計
雙極型模擬集成電路版圖的設計特點，各種器件的圖形結構，隔離問題；工藝相容技術，
uA741 運算放大器的版圖設計和分析。
② 模擬 CMOS 集成電路設計 拉扎維
第一章 集成電路設計緒論
模擬集成電路的重要性，CMOS 模擬集成電路的特點和設計一般概念，MOS 模擬集成電路與雙極
型模擬集成電路的區別，CMOS 模擬集成電路與工藝發展的關系，模擬集成電路設計中器件的
物理效應與模型應用問題。
第二章 MOS 器件物理基礎
MOSFET 的結構，MOS 器件的 I/V 特性，閾值電壓，導通電阻，器件的工作區域，體效應系數，
溝道長度調制系數，亞閾值問題，器件模型與 SPICE 仿真要求。
第三章 單擊放大器
各種負載下的共源級放大器，包括帶源極負反饋的共源級問題；源跟隨器結構，共柵級結構，
共源共柵的特點，從跨導的分析，與增益的關系，優化動態范圍的情況下，如何提高放大器的
增益。
第四章 差動放大器
單端與差動的工作方式，基本差分對的定量分析（疊加法）；共模響應與電路參數對稱的關
系；簡單差分對和 Cascade 差分對，吉爾伯特單元的結構與特點。
第五章 無源與有源電流鏡
基本電流鏡，共源共柵電流鏡的準確性與電壓裕度的優化，有源電流鏡,采用有源電流鏡負載
的差分放大器。大信號分析，小信號分析，有源電流鏡的差分對共模特性。
第六章 放大器的頻率特性
密勒效應，極點與節點的關聯；共源級，源跟隨器，共柵級，共源共柵級，差分對等電路的傳
輸函數，極點頻率，與處理方式。
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