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華中科技大學博士研究生入學考試
《半導體光電器件》考試大綱
（科目代碼： 3555 ）
第一部分 考試說明
一、 考試性質
全國博士研究生入學考試是為高等學校招收博士研究生而設置的。它的評價標準
是高等學校優秀碩士畢業生能達到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有良好
的電子學理論基礎，并有利于高等學校在專業上擇優選拔。
考試對象為參加當年全國博士研究生入學考試的碩士畢業生，或具有同等學力的
在職人員。
二、 考試的學科范圍
考試內容包括：固體物理和半導體物理的基本概念與原理，以及其在光、電、熱
方面的應用?？荚囈c詳見本綱第二部分。
三、 評價目標
本課程考試的目的是考察學生對半導體物理的基本概念、基本原理和基本方法的
掌握程度和利用其解決光電器件領域相關問題的能力。
四、 考試形式與試卷結構
（1） 答卷方式：閉卷，筆試。
（2） 答題時間：180 分鐘。
（3） 各部分內容的考查比例：滿分 100 分。
固體物理 約 15％
半導體基本概念 約 30％
半導體同質與異質結 約 30％
半導體光電熱效應及器件 約 35％
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（4） 題型比例：
概念型（包括簡答、判斷、簡單計算等） 約 20%
分析型 約 20%
計算型 約 60%
第二部分 考查要點
二、考察要點
1. 晶體結構與能帶理論
晶向、晶面、晶體點陣，點群的基本概念，幾種固體結合的特性，晶格振動，光
學波、聲學波，晶格熱傳導，倒易空間，布里淵區
2. 半導體基本概念
金屬、半導體和絕緣體的區分，禁帶寬度，摻雜類型與濃度計算，晶體缺陷，費
米分布函數，本征和雜質半導體的載流子濃度，電導率與遷移率及其與雜質濃度和溫
度的關系，非平衡載流子的壽命與復合，載流子的遷移與擴散
3. 半導體同質與異質結
PN 結及其能帶圖，PN 結電流電壓特性，PN 結電容與擊穿，歐姆接觸和肖特基接
觸，表面態和 MIS 結構的 CV 特性，半導體異質結及其能帶結構，半導體量子阱，GaN
機半導體異質結構
4. 半導體的光、電、熱效應及其器件
半導體光學常數和光吸收，光電導和光電探測器，半導體發光和發光二極管，熱電
效應和溫差電動勢，太陽能電池與場效應晶體管工作原理及表征。
第三部分 考試樣題（略）
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