2020年江西理工大學碩士研究生入學考試考研大綱     

862       《半導體器件基礎》考試大綱

一、考試的總體要求

要求考生熟練掌握半導體物理的基本概念，了解半導體材料中電子運動的特征，具備分析電子器件工作原理的能力。二、考試的內容

1、原子的能級和晶體的能帶；缺陷效應。

2、淺能級雜質電離能；雜質的補償的作用；深能級雜質；雜質能級上的電子和空穴；n 型半導體和簡并半導體的載流子濃度。

3、電導率、遷移率與平均自由時間的關系。

4、載流子的擴散運動。

5、空間電荷區、pn 結能帶圖、pn 結接觸電勢差、pn 結的載流子分布、非平衡狀態下的 pn 結、理想 pn 結模型及其電流電壓方程、影響 pn 結電流電壓特性偏離理想方程的各種因素。

6、pn 結電容的來源、突變結的勢壘電容、線性緩變結的勢壘電容、擴散電容、雪崩擊穿、隧道擊穿（齊納擊穿）、熱電擊穿。

7、金屬和半導體的功函數、少數載流子的注入、歐姆接觸。

8、接觸電勢差、表面態對接觸勢壘的影響。

9、空間電荷層及表面勢、表面空間電荷層的電場、電勢和電容。

10、理想 MIS 結構的電容－電壓特性、金屬與半導體功函數差對 MIS 結構 C-V 特性的影響、絕緣層中電荷對 MIS 結構 C-V 特性的影響。

11、半導體異質結的能帶圖、半導體異質結的接觸電勢差。三、考試題型及比例

考試采用閉卷方式，滿分 150 分。

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四、考試形式及時間

考試形式為閉卷筆試，試卷總分值為 150 分，考試時間為三小時。

五、主要參考教材

孟慶巨編，《半導體器件物理》(第二版)，科學出版社。