中科院長春光機所博士研究生入學考試

《半導體物理》考試大綱

一、  考 試 性 質

《半導體物理》考試適用于中國科學院長春光機所博士研究生入學考試?？荚噷ο鬄閳罂寄蹜B物理、微電子學與固體電子學等專業的考生?？荚嚨闹饕康氖菧y試考生的半導體物理相關基礎和專業知識，以及應用相關知識解決問題的能力。

二、  考試的基本要求

要求考生掌握半導體晶體結構的基本知識，深入理解掌握能帶理論及載流子運動規律。主要包括晶體結構和結合性質、半導體中的電子狀態、電子和空穴的統計平衡分布、電荷輸運現象、過剩載流子性質、接觸現象、半導體表面層和MIS結構、微結構和超晶格、半導體的光吸收、半導體中的發光現象。能對半導體的基本性質進行理論分析，對一些簡單的半導體器件進行定性分析。以上內容要求概念準確，相關物理機制與過程清楚，基本理論和運算熟練，并能應用它們解決實際問題。

三、  考試方法和考試時間

考試采用閉卷筆試形式，試卷滿分為100分，考試時間為180分鐘。

四、  考試內容和考試要求

（一）晶格結構和結合性質

考試內容

1.      晶格的周期性和對稱性

晶格、晶胞和原胞的概念；簡單晶格和復式晶格；晶格的平移對稱性、基矢和格矢及其對應關系；晶向和晶面；7大晶系、14種布拉伐格子的名稱與基矢。

2.      倒空間與倒格子

倒易空間（k空間）、倒基矢和倒格矢；正格子與倒格子的對應關系

。

3.      常見半導體的晶格結構

金剛石結構、閃鋅礦結構和纖鋅礦結構。

4.      原子結合性質

共價鍵和離子鍵；結合性質和負電性；共價四面體結構和雜化軌道；混合鍵。

5.      晶格缺陷

晶格缺陷的分類；原子晶體中的本征缺陷（熱缺陷）；化合物中的本征缺陷；位錯和層錯。

6.      半導體表面的再構

考試要求

1. 理解晶格周期性和對稱性，掌握晶格、晶胞和原胞的概念；掌握基矢和格矢及其對應關系；理解掌握晶向和晶面的概念和表示方法，能夠給出任一晶向和晶面的指數；了解7大晶系、14種布拉伐格子的名稱與基矢。

2. 理解倒易空間的概念及由正空間推演出倒空間的意義，掌握正格子與倒格子的對應關系，可以由基矢求出對應的倒基矢。

3. 理解掌握金剛石結構、閃鋅礦結構和纖鋅礦結構的特點；掌握典型半導體的晶體結構。

4. 理解掌握共價鍵、離子鍵和雜化軌道的概念及其特性；掌握具有不同價鍵的晶體的特點；掌握典型半導體的結合性質。

5. 掌握各種不同點缺陷、線缺陷和面缺陷的特點及其在晶體中的形成機制和作用。

6. 理解掌握半導體表面再構的物理機制；掌握再構后表面的特點。

（二）半導體中的電子狀態

考試內容

1.      晶體的能帶

原子中的能級和固體中的能帶的特點；晶體中的電子狀態；布洛赫波；E-k關系；布里淵區；能帶中的狀態密度；單電子近似；Kronig-Penney勢場模型。

2.      晶體中電子的運動

電子的平均速度（群速度）和波包；外場下電子狀態的變化，有效質量和有效質量近似；等能面。兩個重要關鍵公式：

，

3.      導電電子和空穴

滿帶和部分填充的能帶的導電性；導電電子和空穴；金屬、半導體和絕緣體。

4.      常見半導體的能帶結構

IV族元素晶體及化合物；III-V族化合物；II-VI族化合物；混合晶體的能帶結構。

5.      雜質和缺陷能級

施主雜質和施主能級；受主雜質和受主能級；類氫模型；淺能級雜質和深能級雜質；兩性雜質和雜質補償；等電子雜質和等電子陷阱；缺陷能級。

6.      局域態的晶格弛豫

晶格弛豫和位形坐標圖；DX中心；EL2缺陷。

7.      重摻雜半導體

中等摻雜情形；重摻雜情形。

8.      表面態

塔姆表面態；表面懸掛鍵和表面能帶。

考試要求

1. 理解掌握：原子中的能級和固體中的能帶的特點；電子的共有化運動與晶體能帶的形成的物理機制；晶體中的電子狀態的特點及布洛赫定理；晶體中電子的能量分布的特點和E-k關系；布里淵區的特性及其與電子狀態特性的關系；布里淵區邊界方程；導帶和價帶的特點；k空間的狀態密度；理解單電子近似及其物理可行性；可以用類似Kronig-Penney勢場的簡單勢場求解單電子薛定諤方程，并分析電子波函數和能量分布的特點。

2. 理解掌握：波包概念以及采用波包運動討論晶體中電子運動的平均速度方法；電子的平均速度與能帶結構的關系；有效質量的意義、與能帶結構的關系、在倒空間中的變化關系；等能面的形式、意義及與有效質量的關系；有效質量近似理論及其適用性。

3. 理解滿帶和部分填充的能帶在導電性上的差異，可以依據能帶結構的不同，分析金屬、半導體和絕緣體的導電性的差異；理解空穴的概念，掌握空穴的電荷、運動速度和有效質量的形式和意義。

4. 理解掌握：各個常見半導體的能帶結構的特點，包括導帶的特點，能谷的位置與數量、能谷附近等能面的特征、有效質量各向同性與各項異性；價帶的特點，重空穴與輕空穴子能帶、自旋-軌道耦合劈裂帶；直接帶隙與間接帶隙的概念；理解混合晶體的概念及用途，了解混合晶體能帶結構、帶隙及晶格常數隨混晶組分的變化關系與規律。

5. 理解掌握：施主和施主能級、受主和受主能級；雜質電離過程和電離能；雜質補償、兩性雜質；等電子雜質和等電子陷阱；淺能級和深能級，以及它們在半導體中的作用；雜質在具體半導體中是施主還是受主的判斷方法；類氫模型及其適用條件；缺陷和缺陷能級及其作用。

6. 理解掌握：晶格弛豫概念及物理機制，利用位形坐標圖和弗蘭克-康登原理闡述局域中心與晶格弛豫相關的現象；DX中心以及EL2缺陷的特點。

7. 理解掌握重摻雜半導體中，雜質能級簡并解除形成雜質能帶、雜質濃度提高導致雜質電離能降低、帶尾效應的物理機制。

8. 理解表面態的概念，掌握塔姆表面態、表面懸掛鍵和表面能帶形成的物理機制。

（三）電子和空穴的統計平衡分布

 考試內容

1.      費米分布函數

費米分布函數；費米分布函數的性質；玻爾茲曼近似；雜質能級的占有幾率。

2.      載流子濃度與費米能級的關系

態密度；載流子濃度。

3.      本征半導體

電中性條件；本征激發；本征費米能級和本征載流子濃度。

4.      含一種雜質情形的統計

雜質弱電離情形；中等電離和強電離；向本征過渡。

5.      具有雜質補償及多重雜質能級情形的統計

單能級施主和單能級受主的情形；含多能級雜質的補償；位于禁帶下半部的施主能級；補償性高阻-半絕緣的半導體。

6.      簡并情形的統計

弱簡并情形；強簡并情形；簡并的具體判據。

7.      寬禁帶半導體的摻雜問題和自補償

自補償；導致摻雜困難的其他因素。

考試要求

1. 理解掌握：費米分布函數及其公式；費米分布函數中費米能級的性質和意義；非本征情況，可以使用玻爾茲曼統計分布的條件；雜質能級被電子和空穴占有的幾率的特點和公式。

2. 理解掌握：影響費米能級的因素；以能量為尺度的狀態密度的意義，與k空間狀態密度的關系；態密度有效質量；導帶等效狀態密度和價帶等效狀態密度；載流子濃度與費米能級的關系及其公式。

3. 理解掌握：本征半導體的定義；電中性方程；本征載流子濃度與溫度和禁帶寬度的依賴關系及其公式。

4. 理解掌握：在不同雜質電離程度下，寫出正確的電中性方程，推導出載流子濃度方程，分析討論載流子濃度和費米能級隨溫度變化的物理機制；飽和電離區溫度范圍的計算。

5. 理解掌握：雜質補償機理；各種施主和受主能級存在的情況下，雜質補償的特點及對載流子濃度及費米能級的影響。

6. 理解掌握：簡并半導體的特點；弱簡并和強簡并情況下，載流子濃度以及費米能級的定性分析；簡并的具體判據。

7. 理解掌握：自補償的物理機制；導致寬帶隙半導體摻雜困難的其他因素及其影響機制。

（四）電荷輸運現象

 考試內容

1.      電導和霍爾效應的分析

電導率和遷移率；霍爾效應；電導和霍爾效應的實驗研究。

2.      載流子的散射

晶格振動和聲子；聲學波散射；光學波形變勢散射和谷間散射；光學波極化勢散射；電離雜質散射；合金勢散射。

3.      電導的統計理論

弛豫時間近似；弱電場下的分布函數；電導率。

4.      霍爾效應的統計理論

弱電場和弱磁場下的載流子分布函數；一種載流子的霍爾效應；兩種載流子的霍爾效應；強磁場霍爾效應。

5.      磁阻現象

一種載流子的磁阻；兩種載流子的磁阻；平面霍爾效應；幾何磁阻。

6.      強電場下的載流子輸運

強電場載流子分布函數；漂移速度飽和；負微分遷移率。

7.      漂移速度過沖和近彈道輸運

漂移速度過沖和非駐定輸運；GaAs中的漂移速度過沖；近彈道輸運。

考試要求

1. 理解掌握：遷移率的物理意義；遷移率表達式的數理推導；遷移率與電導率的數理關系；遷移率與半導體能帶結構、載流子散射的依賴關系；影響霍爾電場的物理因素；引入霍爾因子的意義；霍爾遷移率與漂移遷移率、電導遷移率的物理差異；設計利用霍爾效應測量半導體各種物理參數的實驗方法。

2. 理解掌握：晶格振動和格波；聲學波振動和光學波振動；聲子；載流子散射的概念；自由時間和馳豫時間的區別；各向同性散射和各向異性散射的區別；解釋半導體中各類散射機構對載流子輸運的影響，它們的散射幾率隨溫度的依賴關系。

3. 理解掌握：弛豫時間近似方法及相關散射分析；弱電場條件時的定向運動速度與熱運動速度條件；影響電導率的物理機制。

4. 理解掌握：弱電場和弱磁場下，霍爾效應對載流子分布的影響；不同導電類型的近本征半導體的霍爾系數隨溫度的變化規律；推導單一載流子和兩種載流子共存時的霍爾系數表達式；強磁場霍爾效應的特點。

5. 理解掌握：磁阻效應的物理機制；不同情形下磁阻的特點與應用。

6. 理解掌握：載流子遷移率隨電場強弱變化的規律與物理影響機制；強電場條件下，漂移速度飽和的物理機制；產生負微分遷移率的物理機制，Gunn效應機理與應用。

7. 理解掌握：強電場、非穩態情況下，載流子非駐定輸運的特點；漂移速度過沖和近彈道輸運的物理機制分析；在相關器件上的應用優勢。

（五）過剩載流子

考試內容

1.      過剩載流子及其產生和復合

過剩載流子及其產生；過剩載流子的復合、壽命；壽命的測量；準費米能級。

2.      過剩載流子的擴散

擴散定律；一維穩定擴散分布；擴散長度；擴散速度；不同邊界條件；愛因斯坦關系。

3.      過剩載流子的漂移和擴散

注入少子脈沖的漂移和擴散；電場下漂移和擴散的穩定分布。

4.      雙極擴散和雙極漂移

雙極擴散；雙極漂移。

5.      丹倍效應和光磁效應

丹倍效應；光磁效應。

6.      表面復合對壽命的影響

7.      復合機制和直接復合

復合機制；直接輻射復合；帶間俄歇復合。

8.      間接復合

復合中心理論；壽命隨費米能級位置的變化；有效的復合中心；間接復合的機制；三種主要復合機制的比較。

9.      陷阱效應

過剩載流子陷阱的條件；陷阱對穩態光電導的影響；紅外淬滅現象陷阱對漂移實驗的影響。

10.    空間電荷的弛豫

考試要求

1. 理解掌握：熱平衡態與非平衡態的區別；非平衡載流子的壽命及其意義；測量壽命的實驗方法；準費米能級及其適用條件；準費米能級在能帶圖中不同位置的意義。

2. 理解掌握：載流子擴散流的表達形式；擴散系數、擴散長度及擴散速度的概念；穩態與非穩態；寫出載流子一維穩定擴散分布方程，利用不同邊界條件，可以求解載流子濃度分布；愛因斯坦關系的意義、公式及其推導。

3. 理解掌握：擴散長度和牽引長度及其意義對比；順流擴散和逆流擴散過程；海恩斯-肖克萊實驗原理；漂移遷移率；根據不同情況，正確寫出載流子擴散與漂移的連續性方程及求解載流子濃度分布。

4. 理解掌握：考慮兩種載流子的連續性方程；雙極擴散系數和雙極漂移遷移率的意義。

5. 理解掌握：丹倍效應和光磁效應的現象、機理及應用；光磁效應與霍爾效應的異同。

6. 理解掌握：表面復合對壽命的影響；表面復合速度；表面復合率及其與表面流密度的關系。

7. 理解掌握：復合機制，輻射躍遷、聲子躍遷、俄歇躍遷以及激子復合過程的物理機制和特點；直接復合和間接復合過程；引起復合和產生過程的內部物理作用；直接輻射復合：復合率和復合系數，壽命及其影響機制；帶間俄歇復合：復合率體現出涉及三個載流子的過程；產生率與載流子濃度的關系；俄歇復合的壽命及其影響機制。

8. 理解掌握：載流子通過復合中心復合與產生的四個過程；俘獲系數與激發幾率；肖克萊-瑞德公式；載流子濃度（費米能級位置）對壽命的影響；有效的復合中心的特點；溫度對壽命的影響。

9. 理解掌握：雜質和缺陷在半導體中的主要作用；顯著的陷阱效應的條件；陷阱對穩態光電導弛豫過程、載流子濃度及其壽命的影響機理；穩態時，陷阱能級與能帶間載流子濃度的連續性方程。

10. 理解掌握：空間電荷的弛豫過程和介電弛豫時間，及與過剩載流子壽命的比較；空間電荷限制電流的機理。

（六）接觸現象

考試內容

1.      同質和異質PN結勢壘

功函數和接觸電勢差；pn結的接觸勢壘；空間電荷區及其中的電場和電勢分布；異質結的能帶圖；異質結中電場和電勢分布。

2.      金屬和半導體接觸

金屬半導體接觸；肖特基勢壘-巴丁模型；表面態的性質。

3.      PN結電流

同質pn結的注入擴散電流；勢壘區的產生復合電流。

4.      肖特基勢壘電流

尖峰發射電流；電子熱發射理論；肖特基勢壘電流的擴散理論和綜合理論；少子注入電流和產生復合電流。

5.      勢壘電容和擴散電容

勢壘電容；緩變結電容；擴散電容；勢壘電容的測量；勢壘電容的瞬變。

6.      隧道穿透勢壘-隧道電流

隧道效應；隧道二極管；異質結中的隧道效應；歐姆接觸。

7.      光生伏特效應

伏安特性；短路電流和開路電壓；異質結光電池；太陽能電池；光電二極管。

8.      雪崩擊穿和齊納擊穿

齊納擊穿；雪崩擊穿。

考試要求

1. 理解掌握：功函數和接觸電勢差的概念及表達式；PN結的形成過程；平衡PN結及其能帶圖；空間電荷區（勢壘區）的性質及各個物理量的分布；載流子濃度與接觸電勢差的關系；pn結中載流子分布；異質結及異質結能帶圖的特點；異質結中電場及電勢分布的特點；導帶帶階和價帶帶階；耗盡層近似。

2. 理解掌握：電子親和勢的概念與表達公式；真空電子能級；金半接觸對半導體表面層的影響；半導體表面空間電荷區的各個物理量的分布；不同條件金半接觸的能帶圖；接觸電勢差和表面勢的概念及表達形式；肖特基結的特點；肖特基結的整流特性；肖特基勢壘-巴丁模型中，多電子系統的接觸影響與分析；表面態對半導體表面層的影響機制。

3. 理解掌握：非平衡pn結，正、反向偏壓下，載流子擴散與漂移運動分析；PN結勢壘區的變化；非平衡pn結能帶圖；pn結的整流特性；pn結中載流子濃度及電流分布與電流轉換特性，能夠進行相關計算分析。

4. 理解掌握：肖特基勢壘電流的特點，與pn結勢壘電流的區別；相關電流的計算肖特基勢壘的優勢及在器件和測試中的應用。

5. 理解掌握：勢壘區電容變化的物理機制；不同勢壘區的電容隨偏壓變化特性；影響勢壘區電容的主要因素；勢壘電容的瞬變，用于深能級瞬態譜測量的機理。

6. 理解掌握：隧道效應；隧道pn結的特點；不同偏壓條件下隧道結的能帶圖；隧道二極管的伏安特性分析；不同偏壓條件下隧道結的狀態密度分布；歐姆接觸的特點；形成歐姆接觸結的方法。

7. 理解掌握：光生伏特效應機理；光生電流與光生電動勢；短路電流與開路電壓；光電池的基本原理；光電池的伏安特性；光生伏特效應的基本應用。

8. 理解掌握：齊納擊穿和雪崩擊穿的物理機理；溫度對這兩種擊穿機制的影響。

（七）半導體表面電荷與MOS結構

考試內容

1.      半導體表面電荷層

表面感生電荷層；耗盡情形；反型情形；表面勢和表面電荷層。

2.      MOS電容

理想MOS結構的C-V特性；實際MOS結構的C-V特性。

3.      界面態及其電容效應

界面態的電容效應；由低頻C-V特性確定界面態；瞬變電容法測量界面態；界面態對C-V特性的影響；界面態的來源。

4.      場效應和表面電導

電導的場效應；表面電導和表面層電荷的關系；表面態的實驗研究。

5.      表面復合

通過表面態的產生和復合；表面復合對pn結特性的影響；表面復合速度。

考試要求

1. 理解掌握：電場和表面態引起在半導體表面空間電荷區的形成過程；半導體表面空間電荷區中各項物理量的分布特點；半導體表面的載流子積累、耗盡和反型與表面勢及外電場的對應關系，及對應的表面能帶彎曲情況，表面層空間電荷的組成與特點；可以推導發生載流子反型和強反型的條件。

2. 理解掌握：理想MOS結構的條件；理想MOS結構的C-V特性基本規律，畫圖并解釋；理想MOS結構不同狀態下的電容表達式；實際MOS結構中，影響電容-電壓特性的因。

3. 理解掌握：界面態的電容效應及界面態的測試方法；界面態對MOS結構C-V特性的影響機理。

4. 理解掌握：表面電導的概念；表面電導與半導體表面層電場及空間電荷密度的關系；利用表面電導的場效應研究表面態的方法。

5. 理解掌握：通過表面態的產生和復合特性，與表面勢的關系及相關物理機理分析；可以具體分析不同偏壓情形，表面復合對pn結特性的影響；半導體表面層通過表面態復合的表面復合速度及其特點。

（八）低維結構和超晶格

考試內容

1.      半導體中的尺寸量子化和低維電子氣

方形量子阱；三角勢阱及拋物型勢阱；二維電子氣；量子線、量子點、低維量子氣。

2.      二維電子氣的電荷輸運

二維子帶中的載流子、散射機制和散射率；調制摻雜異質結構和遠程庫侖勢散射；表面粗糙散射和Si/SiO2界面溝道遷移率；合金散射。

3.      低維結構中垂直于界面的輸運-共振隧穿

量子輸運；雙勢壘結構中的共振隧穿；順序共振隧穿過程。

4.      一維系統的電荷輸運

介觀輸運；量子干涉效應和弱局域化；一維系統的彈道輸運；介觀相干量子輸運。

5.      量子點的輸運現象

庫侖阻塞現象；Fano效應；Kondo效應。

6.      半導體超晶格和超晶格的輸運

超晶格分類；超晶格能帶；超晶格的應用。

7.      超晶格的輸運

負微分電導；高場籌和順序共振隧穿；布洛赫振蕩和瓦尼爾-斯塔克量子化；超晶格的熱導。

8.      異質結構的帶階

考試要求

1. 理解掌握：量子限域效應（尺寸量子化）概念；二維電子氣及低維電子氣概念；準二維子帶概念及與分立能級的對應關系；量子阱、量子線、量子點結構特性；可以求解各種結構的單電子薛定諤方程，得到電子波函數和能量表達式，進而討論在上述不同結構中，電子空間分布及能量分布的特點；可以推導上述各種結構的態密度表示式，掌握態密度的分布特點。

2. 理解掌握：二維電子氣系統中，電子輸運（速度）受相關散射機制的影響機理以及輸運特性。

3. 理解掌握：量子輸運概念；非彈性散射；相干涉時間；共振隧穿及共振隧穿機理；共振隧穿結構及載流子波函數特點；共振隧穿二極管伏安特性；順序共振隧穿過程及對應結構。

4. 理解掌握：介觀系統概念；介觀系統中電子的特性；量子干涉現象在輸運中的表現以及介觀輸運；弱局域化效應的特性及其物理機理；一維彈道輸運特性、電導量子化；介觀輸運中的電導特性。

5. 理解掌握：量子點庫侖阻塞、Fano效應和Kondo效應的特性和物理機理分析，及在器件等方面的應用。

6. 理解掌握：超晶格概念；超晶格分類；超晶格子能帶的形成機理及波函數特點；超晶格電子狀態特征參數；超晶格態密度分布；超晶格布里淵區特點。

7. 理解掌握：超晶格負微分電導物理機理；超晶格的順序共振隧穿；布洛赫振蕩；超晶格的熱導現象及物理機理。

8. 理解掌握：異質結構的帶階的特點及其作用。

（九）半導體的光吸收

考試內容

1.      光的吸收和基本吸收邊

直接躍遷和間接躍遷；吸收系數；直接禁帶吸收邊；間接禁帶吸收邊；Burstein移動。

2.      基本吸收與能帶結構

范霍夫奇點；調制光譜。

3.      激子和激子吸收

直接激子；激子效應；間接激子。

4.      雜質吸收

電離雜質吸收；中性雜質吸收。

5.      自由載流子吸收

6.      晶格振動吸收

考試要求

1. 理解掌握：本征吸收（基本吸收）、激子吸收、雜質吸收、自由載流子吸收、晶格振動吸收，各種光吸收過程的物理機理、光吸收能量閾值、吸收譜特點，以及光吸收系數的特點和表達式；能利用光吸收過程分析和光吸收系數求解相關物理量。

2. 理解掌握：直接躍遷和間接躍遷物理過程分析；利用吸收邊位置確定禁帶寬度及其相關的參數；Burstein-Moss效應的物理機理。

3. 理解掌握：聯合態密度及其物理意義；由光譜特性推斷能帶結構特點；外界作用下的光吸收機制及吸收譜特點；Franz-Keldysh效應。

4. 理解掌握：激子；直接激子和間接激子吸收的差別及吸收譜的差別；中性雜質吸收與電離雜質吸收在吸收能量閾值上的差別；淺能級和深能級雜質吸收光子能量的差別；自由載流子吸收的物理機理分析，及受散射作用的影響；晶格振動吸收的物理機理。

（十）半導體中的光發射

考試內容

1.      自發發射和受激發射

2.      發光光譜

半導體中的發光過程；帶間復合發光；通過雜質的復合發光；施主-受主對的發光光譜；激子復合發光；激子分子和電子空穴滴發光。

3.      微結構和超晶格的光譜現象

量子阱和超晶格的帶間光吸收；量子阱中增強的激子效應；量子阱載流子復合和激子發光；量子阱的低溫熒光譜；量子約束斯塔克效應；受限激子吸收的非線性；兩光子吸收和兩光子激發譜。

4.      單光子發射

單個量子點中激子的光熒光譜；量子點的單光子發射。

考試要求

1. 理解掌握：自發發射和受激發射的物理機理和區別；熱平衡時的愛因斯坦關系；粒子數反轉分布。

2. 理解掌握：半導體中的各種發光機制，對應的發光譜的特點；發光峰與發光機制的分析。

3. 理解并可以分析相關物理機理，以及吸收譜和發光譜的特點：量子阱和超晶格的帶間光吸收特點；量子阱中增強的激子效應；量子阱載流子復合和激子發光；量子阱的低溫熒光譜；量子約束斯塔克效應；受限激子吸收的非線性；兩光子吸收和兩光子激發譜。

4. 理解掌握：單量子點激子熒光譜的發光機理及與結構參數影響相關的性質；單量子點的單光子發射機理；產生單光子發射的方法。

五、  主要參考書目

1．《半導體物理學》  葉良修 編著 高等教育出版社（第二版） 2007.10

2．《半導體物理學》  劉恩科、朱秉升、羅晉生 編著 電子工業出版社（第七版）2011.3

編制單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

編制日期：2020年9月